窒化物半導体の熱電材料応用

窒化物半導体の材料としての熱電特性を解明するとともに，熱電デバイスを作製して性能評価を行っています．窒化物半導体光・電子デバイスからの排熱を窒化物半導体熱電デバイスにより有効利用するシステムを目指しています．

SiC/Si基板の活用

Si基板を加熱しながらC原料を供給すると，Si表面が炭化されてSiC薄膜ができます．このSi表面炭化技術を用いたSiC/Si基板の活用を提案しています．炭化メカニズムの解明とSiC/Si基板上への結晶成長による実証を行っています．

ダイヤモンドと窒化物半導体の融合

ダイヤモンドと窒化物半導体の互いの利点を融合し，新しいデバイスの実現を目指します．